同時提出全新RibbonFET電晶體技術與PowerVia供電設計
在稍早聲明中，Intel公布旗下在2025年以前及未來的製程技術推展計畫，其中最快會在今年下旬進入全新命名的Intel 7製程技術應用，並且在2022年下旬進入Intel 4製程，而Intel 3製程則計畫在2023年下旬推進。此外，Intel也說明將在2024年進入20A製程發展，其中將結合全新RibbonFET電晶體技術與PowerVia供電設計，更確認Qualcomm將成為第一個採用此製程代工處理器產品的合作業者。
▲Intel執行長Pat Gelsinger
持續推進製程技術與封裝技術
此外，Intel也強調計畫在2025年初進入Intel 18A製程發展，同時除了在Intel 4製程採用EUV極紫外線技術，Intel更計畫著手佈署下一代高數值孔徑EUV極紫外線技術，同時也與ASML維持深度合作，藉此擴展未來光刻技術發展。
而在封裝技術方面，Intel強調將會持續強化Foveros 3D封裝技術發展，其中Foveros Omni將以3D堆疊方式強化處理器die之間連接，並且對應更具彈性處理器架構設計，預計可在2023年投入量產應用，而Foveros Direct則將作為Foveros Omni互補設計，同樣也會在2023年投入量產應用。
▲Intel此次宣布多項製程與封裝技術推進
將與Qualcomm攜手合作更小製程技術
Intel針對10nm SuperFin製程之後的製程技術重新命名，其中Intel 7製程將對應原本的第三款10nm製程改良版設計，並且對應市場競爭對手的7nm製程，而Intel 4製程技術則對應Intel原本規劃的7nm製程。
在相關說明中，Intel 7製程相比先前10nm SuperFin製程將可提升10%-15%的每瓦效能，其中基於現有FinFET電晶體技術強化設計，預計用在今年下半年計畫針對消費市場推出的Alder Lake架構處理器，以及針對數據中心需求打造、預計2022年推出的Sapphire Rapids架構處理器。
Intel 4製程技術則會採用EUV技術，預期帶動20%左右的每瓦效能提升幅度 (相比Intel 7製程)，預計在2022年下半年可投入量產，並且讓應用產品於2023年推出，其中包含針對消費市場打造的Meteor Lake架構處理器，以及針對數據中心打造的Granite Rapids架構處理器。
至於Intel 3製程技術則會以改良版FinFET電晶體技術，並且搭配EUV技術，相比Intel 4製程技術將可帶動18%的每瓦效能表現，預計最快可在2023年下半年進入量產。
▲Intel日後製程技術發展藍圖
預計在2024年應用的Intel 20A (埃米)製程技術，分別導入RibbonFET電晶體技術與PowerVia供電設計，其中前者將延續2011年提出的FinFET電晶體技術設計強化，可在更小面積堆疊更多電晶體，並且能在相同電流驅動下，加快電晶體運作開關切換速度，同時透過PowerVia後端供電設計，讓整體供電運作效率提升之外，更藉由移除晶圓正面供電所需迴路，藉此讓訊號以最佳化形式傳遞。
Intel 20A製程技術預計會在2024年推進，同時也確認Qualcomm將成為第一個採用Intel 20A製程技術代工生產旗下處理器的業者。
▲此次提出的RibbonFET電晶體技術，是基於2011年提出的FinFET電晶體技術改良
▲PowerVia後端供電設計，讓整體供電效率提升，更藉由移除晶圓正面供電所需迴路，藉此讓訊號以最佳化形式傳遞
並未透露是否與外部代工業者合作
此次強調將擴展旗下製程與封裝技術佈局，同時也確認在IDM 2.0發展策略下向外提供代工資源，但Intel並未說明接下來是否會進一步與外部代工廠商如台積電、三星等業者合作。
至於是否如先前市場傳聞考慮透過收購Global Foundries提升自身處理器生產製造能力，在此次說明中也未提起。
本文轉載自：Mashdigi
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